研發中心外，3輛黑色的商務車停了下來，一個年輕的身影從車內下來，眼神四處掃了幾眼，臉上露出一抹欣慰的笑容，隨即看向此時正在門口等待著的長鑫儲存負責人張少康。
張少康，早年畢業於清華，隨後赴矽谷深耕DRA儲晶片設計近20年，先後主持過多款經典記憶體顆粒的研發，一年前被許浪從海外挖回國內，隨即開啟了國產儲存的研發。
許浪點了點頭，輕輕地跟張少康握了握手，隨即走進了研發中心。
“許總，奇夢達當年留下的2.8TB技術文件和7000多項DRA利，我們研發組已經全部梳理完畢。”
張少康一邊在前面帶路，一邊介紹著。
“我們把原本落後的溝槽式電容路線徹底廢棄，全面轉向了堆疊式電容方案，整體進度比我們預期的還要好......”
“得益於崑崙半導體那邊共享的晶圓級3D堆疊與矽通孔工藝，我們在驗證標準DDR4顆粒的同時，順手把HB前期堆疊架構也打通了，目前正等待著進行最後的驗證工作......”
許浪點了點頭，隨即說道：
“晶圓廠的建設如何了，三桑海力士那邊已經發來了最新訊息，因為人工智慧的發展，材料的漲價，下一年的儲存價格會在原來的基礎上提升50%。”
“更離譜的是，這一次他們不打算跟我們簽訂長協，而是採用新的價格聯動機制，每個季度按照市場價進行調整。”
張少康身為儲存行業的老兵，見過這麼好幾次儲存單價波動，馬上就明白了三桑海力士的想法。
無非就是趁著這個行業火爆的時間提高單價，賺到大額的利潤，這也不是他們第一次這樣做了，以前為了漲價，總是有起火或者工廠出問題等各種理由。
“許總，一期晶圓廠的主體工程和百級潔淨室建設已經進入收尾階段，裝置進場率達到了85%，要是一切順利，下一年就能夠開始進行投產，一年後就能完成產能爬坡......”
兩人說著，很快就來到了研發實驗室內。
張少康領著許浪換上無塵服，穿過長長的走廊，徑直走進了最核心的工藝研發實驗室。
實驗室內，數十臺分析儀器正閃爍著螢幕，中央的操作檯上擺放著幾盒剛切片完成的12英寸測試晶圓。
張少康調出掃描電鏡圖，指著螢幕上的微觀結構解釋道。
“許總，目前的難點在19n點的圓柱形微電容刻蝕上，要在極小的面積內保證足夠的儲存電荷......”
“在連續光刻和等離子刻蝕時，孔底部容易出現輕微的形變，導致臨近電容之間產生微量漏電，這直接影響了最終的良品率爬坡......”
張少康認真地介紹著目前整個研發的進度，還有目前的各種問題。
一個在儲存行業的老兵，參與過大量相關研發的負責人，此時正向著一個20多歲、並不專屬於這個行業的年輕人彙報著各種技術問題，並期待著這個年輕人能夠給出解決辦法。
這看起來匪夷所思的一幕，就這麼發生在現場。
而更讓人難以想象的是，附近的幾個資深研發工程師，此時也是滿眼期待地看向許浪的身影，顯然這一幕已經不是第一次發生，在之前已經發生過好幾次了，不然眾人不會是這樣的表情。
許浪沒有立刻接話，而是走到實驗臺前，伸手拿起一旁厚厚的一疊工藝引數記錄表和切片資料。
他翻看著上面的氣相沉積速率、刻蝕溫度梯度以及離子注入劑量曲線，眼神專注且認真。
而在常人看不到的精神空間裡，海量的物理引數與分子級材料模型正飛速重構、碰撞與推演，尋找著消除刻蝕應力和漏電流的最優工藝解。
